Молекулярно-лучевая эпитаксия
Основным элементом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) является ростовая камера, в которой испарение материалов осуществляется из нагреваемых до высокой температуры полых цилиндров с крошечным отверстием в крышке - эффузионных ячеек (эффузия - медленное истечение газов через малые отверстия). Испаряемый материал осаждается на подложку, формируя наноструктурную пленку, анализируемая структура которой контролируется дифрактометром отраженных электронов. Входящие в состав комплекса МЛЭ модули соединяются шлюзовыми устройствами и системами перемещения подложек в вакууме. Источник:
Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры. Под ред. Л.Ченг, К.Плог. М., Мир, 1989.
Молекулярно-пучковая эпитаксия (МПЭ) или молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ) - эпитаксиальный рост в условиях сверхвысокого вакуума. Позволяет выращивать гетероструктуры заданной толщины с моноатомно гладкими гетерограницами и с заданным профилем легирования. В установках МПЭ имеется возможность исследовать качество плёнок «in situ» (то есть прямо в ростовой камере во время роста). Для процесса эпитаксии необходимы специальные хорошо очищенные подложки с атомарногладкой поверхностью.Технология молекулярно-пучковой эпитаксии была создана в конце 1960-х годов Дж. Р. Артуром (J. R. Arthur) и Альфредом Чо (Alfred Y. Cho). Источник:
Википедия. Молекулярно-лучевая эпитаксия
|
